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内存短缺推动手机翻新内存，TrendForce预计渗透率翻倍

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AI 综述

市场研究机构 TrendForce 报告称，在内存短缺背景下，手机厂商将旧设备拆下的翻新内存（重新植球后焊接）装到新机上以控制成本；目前这类翻新内存渗透率约 3–4%，预计 2027 年升至 7–9%，约翻一倍。目前翻新内存主要是 4GB LPDDR4X 模组，用于价格低于 1299 元（约 200 美元）的 4G 入门级手机。TrendForce 预计，随着 DRAM 价格在 2027 年第一季度进一步上涨，这一做法可能扩展到更高端机型。

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11月9日

21:40
Tom's Hardware
内存短缺推动手机厂商拆解翻新旧内存芯片用于新机，TrendForce 预计 2027 年渗透率翻倍
据 TrendForce 报告，内存短缺促使手机厂商把旧设备上熔下焊球的翻新内存（reballed memory）重新焊到新机上以控制成本。目前翻新内存渗透率约为 3–4%，主要用于 1299 元（约 200 美元）以下 4G 入门手机的 4GB LPDDR4X 模组，预计 2027 年升至 7–9%；随着 DRAM 价格在 2027 年第一季度进一步上涨，这一做法可能扩展到更高端机型。

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