美光公布G11 3D NAND：超400层，2027下半年量产
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美光公布G11 3D NAND：超400层，2027下半年量产
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美光公布下一代G11 3D NAND技术，采用晶圆键合与超400层设计，计划2027年下半年量产。据美光介绍，G11位密度达42 Gb/mm²，约为现款G9（21 Gb/mm²）的两倍；I/O速度从3,600 MT/s提升至5,400 MT/s，最多提高50%，每bit传输能耗降低超过25%。 美光称G11将是全球最先进的NAND技术，相关指标为公司公布的说法，尚待量产验证。
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最新进展10月23日 23:32
Micron G11 3D NAND 将超 400 层，位密度翻倍至 42 Gb/mm²、接口速度达 5,400 MT/s报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月23日
- Tom's HardwareMicron G11 3D NAND 将超 400 层，位密度翻倍至 42 Gb/mm²、接口速度达 5,400 MT/s
Micron 在本周活动上介绍下一代 G11 3D NAND，计划 2027 下半年量产，位密度约为现款 G9（21 Gb/mm²）的两倍，I/O 速度提升最多 50%（3,600 MT/s 提至 5,400 MT/s），每 bit 传输能耗降低超过 25%。
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