Micron G11 3D NAND 将超 400 层，位密度翻倍至 42 Gb/mm²、接口速度达 5,400 MT/s
Micron's next-generation 3D NAND to double bit density with over 400 layers, offering extreme performance
AI 导读
Micron 在本周活动上介绍下一代 G11 3D NAND，计划 2027 下半年量产，位密度约为现款 G9（21 Gb/mm²）的两倍，I/O 速度提升最多 50%（3,600 MT/s 提至 5,400 MT/s），每 bit 传输能耗降低超过 25%。