美光公布DRAM路线：1ε用晶圆键合，后续节点上High-NA EUV
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美光公布DRAM路线：1ε用晶圆键合，后续节点上High-NA EUV
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AI 综述
美光公布DRAM技术演进路线：计划在下一代1ε工艺引入晶圆键合，并在后续ζÅ、ηÅ节点采用High-NA EUV光刻和新材料，同时开发vHBM、vEIM等垂直内存产品。 在产进度方面，美光称1γ已量产；1δ定于2027年下半年量产，位元密度提升约25%（mid-20%）。至于vHBM、vEIM和cHBM，公司尚未公布商用量产时间及架构细节。
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最新进展10月26日 22:00
美光计划在 1ε DRAM 引入晶圆键合，后续节点采用 High-NA EUV，并开发 vHBM 与 vEIM 垂直内存报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月26日
- Tom's Hardware美光计划在 1ε DRAM 引入晶圆键合，后续节点采用 High-NA EUV，并开发 vHBM 与 vEIM 垂直内存
美光公布 DRAM 演进路线，计划在 1ε 节点引入晶圆键合，在 ζÅ 和 ηÅ 节点采用 High-NA EUV 光刻和新材料，当前 1γ 已量产，1δ 定于 2027 年下半年量产、位元密度提升 mid-20%。
本事件热度走势
- 可比范围当前
- 9
- 可比范围峰值
- 1010月26日 23:00
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- –
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23:0010月27日01:00
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