Tom's Hardware· Anton Shilov ·2026-10-26 22:00· 5 小时前AI 评分58

美光计划在 1ε DRAM 引入晶圆键合，后续节点采用 High-NA EUV，并开发 vHBM 与 vEIM 垂直内存

Micron plans to use wafer bonding and High-NA EUV for next-gen DRAM

AI 导读

美光公布 DRAM 演进路线，计划在 1ε 节点引入晶圆键合，在 ζÅ 和 ηÅ 节点采用 High-NA EUV 光刻和新材料，当前 1γ 已量产，1δ 定于 2027 年下半年量产、位元密度提升 mid-20%。