长鑫科技Q3净利544亿元，HBM3E良率仍偏低

长鑫科技发布第三季度财报：归母净利润544亿元，营收1187.1亿元，同比增长613.2%、环比增长19.3%。同期DRAM合约价仍保持双位数环比涨幅。不过报道指出，其即将量产的HBM3E良率仅20%至30%，远低于SK海力士同类产品约70%的水平，性能也更接近上一代HBM3。文章认为，利润主要来自HBM挤占晶圆产能造成的标准DRAM供给真空，而非技术上追平三星与SK海力士。在美国出口管制将长鑫芯片设施列为“受管制设施”的背景下，其股价自8月高点已回落32%（截至10月中下旬），市场在提前定价超级周期放缓与估值锚切换的风险。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。