跳到正文
热点事件持续更新

李在镕考察三星横滨先进封装中心,五年投400亿日元

1 篇报道1 个报道来源3 小时前更新

先了解这件事

AI 综述

三星电子会长李在镕11月1日访问位于日本横滨的先进封装研究中心(APL),考察下一代半导体封装材料及工艺研发进展,并商讨加强与日本半导体材料、零部件及设备企业的合作。 三星计划自2024年起5年投资400亿日元(约2.54亿美元),将横滨APL打造为全球先进封装研发中心,到2027年将当地研发人员扩大至100人以上,研究范围拓展至晶圆键合、玻璃基板等下一代封装技术。

AI 根据报道生成 · 3 小时前更新

报道时间线

沿着报道,了解事件的不同侧面。

11月1日
  1. 财联社 · 电报
    三星电子会长李在镕赴日本考察先进封装技术,计划5年投资400亿日元

    三星电子会长李在镕11月1日访问位于日本横滨的先进封装研究中心(APL),考察下一代半导体封装材料及工艺研发进展,并商讨加强与日本半导体材料、零部件及设备企业合作。三星计划自2024年起5年投资400亿日元(约2.54亿美元),将横滨APL打造为全球先进封装研发中心,到2027年将当地研发人员扩大至100人以上,研究范围还将拓展至晶圆键合、玻璃基板等下一代封装技术。

本事件热度走势

可比范围当前
9
可比范围峰值
1011月1日 16:00
近 24 小时变化
–

趋势仅比较持续完整观测到的相同主体,范围可能小于当前热度统计。移动指针或点击图表查看每小时热度;键盘可用左右方向键切换。