李在镕考察三星横滨先进封装中心,五年投400亿日元
热点事件持续更新
李在镕考察三星横滨先进封装中心,五年投400亿日元
1 篇报道1 个报道来源3 小时前更新
先了解这件事
AI 综述
三星电子会长李在镕11月1日访问位于日本横滨的先进封装研究中心(APL),考察下一代半导体封装材料及工艺研发进展,并商讨加强与日本半导体材料、零部件及设备企业的合作。 三星计划自2024年起5年投资400亿日元(约2.54亿美元),将横滨APL打造为全球先进封装研发中心,到2027年将当地研发人员扩大至100人以上,研究范围拓展至晶圆键合、玻璃基板等下一代封装技术。
AI 根据报道生成 · 3 小时前更新
最新进展11月1日 15:36
三星电子会长李在镕赴日本考察先进封装技术,计划5年投资400亿日元报道时间线
沿着报道,了解事件的不同侧面。
11月1日
- 财联社 · 电报三星电子会长李在镕赴日本考察先进封装技术,计划5年投资400亿日元
三星电子会长李在镕11月1日访问位于日本横滨的先进封装研究中心(APL),考察下一代半导体封装材料及工艺研发进展,并商讨加强与日本半导体材料、零部件及设备企业合作。三星计划自2024年起5年投资400亿日元(约2.54亿美元),将横滨APL打造为全球先进封装研发中心,到2027年将当地研发人员扩大至100人以上,研究范围还将拓展至晶圆键合、玻璃基板等下一代封装技术。
本事件热度走势
- 可比范围当前
- 9
- 可比范围峰值
- 1011月1日 16:00
- 近 24 小时变化
- –
02.557.510
16:0017:0018:00
趋势仅比较持续完整观测到的相同主体,范围可能小于当前热度统计。移动指针或点击图表查看每小时热度;键盘可用左右方向键切换。