康奈尔团队掺硅氧化铝镓薄膜刷新导电带隙纪录

美国康奈尔大学领导的研究团队在氧化铝镓薄膜中掺入硅，实现了比以往任何半导体都更宽的带隙，同时保持稳定的导电调控能力。相关论文发表于新一期《自然》杂志。 更宽带隙的半导体可让电子产品更小、更高效并承受更高电压。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。