康奈尔大学团队掺硅氧化铝镓薄膜导电带隙刷新纪录

美国康奈尔大学领导的研究团队在氧化铝镓薄膜中掺入硅，实现了比以往任何半导体都更宽的带隙，同时保持稳定的导电调控能力。更宽带隙的半导体可让电子产品更小、更高效并承受更高电压。相关论文发表于新一期《自然》杂志。