清溢光电子公司拟投不超15亿元建掩膜版基地三期

清溢光电公告，控股子公司佛山清溢微拟在一期、二期基础上投建高端半导体掩膜版生产基地建设项目三期，计划总投资不超过人民币15亿元，主要产品覆盖28nm-14nm制程。项目尚需履行备案、环评等审批手续，一期已投产，二期正稳步推进中。

清溢光电公告，控股子公司佛山清溢微拟在既有项目一、二期基础上投建高端半导体掩膜版生产基地三期，总投资不超过15亿元，产品覆盖28nm-14nm制程。一期已投产，二期正推进中，三期尚需备案、环评等审批。

清溢光电(688138.SH)公告，控股子公司佛山清溢微拟在一期、二期基础上投建高端半导体掩膜版生产基地三期，总投资不超过人民币15亿元，主要产品覆盖28nm-14nm制程掩膜版。项目尚需备案、环评等审批，一期已投产，二期正稳步推进。