美光宣布放弃4F² DRAM架构,转向6F²微缩
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美光宣布放弃4F² DRAM架构,转向6F²微缩
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AI 综述
美光在研究约二十年后宣布放弃未来的4F² DRAM存储单元架构,改为继续沿用常规6F²架构进行微缩。其CTO Scott DeBoer称,4F²没有实质的密度优势,实际位密度由电容间距而非晶体管结构决定,且该架构制造更复杂、成本更高,微缩存在根本性限制。 美光的下一代1δ制程计划于2027年下半年进入量产;至于未来替代架构(3D DRAM方向),美光尚未披露何时进入商业生产。
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最新进展10月22日 20:00
Micron 放弃 4F² DRAM,转向延续 6F² 微缩并押注 3D DRAM报道时间线
沿着报道,了解事件的不同侧面。
10月22日
- Tom's HardwareMicron 放弃 4F² DRAM,转向延续 6F² 微缩并押注 3D DRAM
Micron 在研究约二十年后宣布放弃未来 4F² DRAM,CTO Scott DeBoer 称该架构没有实质密度优势,实际位密度由电容间距而非 6F² 或 4F² 晶体管结构决定,且制造更复杂、成本更高、微缩存在根本限制。
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