CXMT 开始量产 G5 平台 DRAM 并完成 G6 工程样片验证

据 tphuang 称，长鑫存储（CXMT）刚开始量产 G5 平台 DRAM，位密度约相当于 D1b 至 D1c，并已完成 G6 工程样片的验证。他预计 4F 工艺可能于明年进入量产。 该进展显示 CXMT 存储工艺推进速度较快；4F 工艺量产时间为其个人预计，尚未有官方确认。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。