Nagare Labs 获 500 万美元融资,推出 Z2RAM 存储技术
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Nagare Labs 获 500 万美元融资,推出 Z2RAM 存储技术
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AI 综述
Georgia Tech 衍生公司 Nagare Labs(获 Pat Gelsinger 支持)完成 Playground Global 领投的 500 万美元融资,并公开介绍其 Z2RAM 存储技术。该公司称,Z2RAM 采用两晶体管加屏蔽、无电容的结构,可将 SRAM 速度的存储直接堆叠在 AI 芯片上。 上述性能均为公司预测目标:Gen 1 目标为 5 倍 SRAM 密度、6 层堆叠、比 DRAM 快 14 倍、读取能耗比 SRAM 低 3 倍。Nagare 尚未公布实测的保持时间、延迟或能耗数据。
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最新进展11月6日 19:00
Gelsinger 参投的 Nagare Labs 推出 Z2RAM,宣称以 DRAM 密度实现 SRAM 速度报道时间线
沿着报道,了解事件的不同侧面。
11月6日
- Tom's HardwareGelsinger 参投的 Nagare Labs 推出 Z2RAM,宣称以 DRAM 密度实现 SRAM 速度
Georgia Tech 衍生公司 Nagare Labs 获 Playground Global 领投的 500 万美元融资,其 Z2RAM 用两晶体管加屏蔽的无电容结构,宣称可将 SRAM 速度的存储直接堆叠在 AI 芯片上,Gen 1 目标为 5 倍 SRAM 密度、6 层堆叠、比 DRAM 快 14 倍、读取能耗比 SRAM 低 3 倍。
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