英飞凌将向奥地利菲拉赫工厂投资约11亿欧元，建设300毫米晶圆氮化镓功率半导体基地

英飞凌10月27日宣布将在欧洲建立全球首个基于300毫米晶圆的新一代氮化镓（GaN）功率半导体大规模生产基地。公司计划到2034年向奥地利菲拉赫工厂现有洁净室设施投入约11亿欧元，利用现有及升级后的基础设施扩张产能，该基地计划2027年底投产。